基本信息：出生年月:1979.1、中共党员、籍贯:天津市、职称：副教授、研究生导师

研究方向：微、纳电子材料与器件、FPGA系统设计、嵌入式系统设计

教育背景：博士研究生

工作经历：

2007年7月至今，天津职业技术师范大学，电子工程学院，专职教师；

2012年6月至2015年3月，日本东京理科大学，博士后研究员；

学术论文：

（1） Zhang Huan , Wang Yaxin*, Wang Shuang, Liu Zhihao, Chen Panyu, Wang Fangjuan，FPGA-based Improved Canny Edge Detection System, 2024 IEEE 4th International Conference on Information Technology, Big Data and Artificial Intelligence, 2024 (1608). ( EI )

（2）Zhihao Liu, Yaxin Wang*, Panyu Chen, Fangjuan Wang, Huan Zhang, Implementation of eight-bit architecture Sobel algorithm based on FPGA, 2024 IEEE 7th International Conference on Automation, Electronics and Electrical Engineering, 2024 (547). ( EI )

（3）Panyu Chen, Yaxin Wang*, Zhihao Liu, Huan Zhang, Fangjuan Wang, ECC Design for High-Speed Multi-Port Shared Cache Management Module, 2024 IEEE 7th International Conference on Automation, Electronics and Electrical Engineering, 2024 (543).( EI )

（4） 张欢，王雅欣*，王爽等，基于FPGA的工业机器人技术发展历史与现状，单片机与嵌入式系统应用，2023，第10期：31-35.

（5）赵星智，王雅欣*，王爽等，基于神经网络的智能识别机器人设计，计算机与网络，2023，第9期：63-67.

（6）Yaxin Wang*, Kazuhiro Ohkawa, Effect of H, O intentionally doping on photoelectric properties in MOVPE- growth GaN layers, Proc. of SPIE 10460 (2017) 1046012. ( EI )

（7）Yaxin Wang*, Rika Shimma, Tomohiro Yamamoto, Hideki Hayashi, Ken-ichi Shiohama, Kaori Kurihara, Ryuichi Hasegawa, and Kazuhiro Ohkawa, The effect of plane orientation on indium incorporation into InGaN/GaN quantum wells fabricated by MOVPE, J. Cryst. Growth 416 (2015) 164. ( SCI )

（8）Y. Wang*, T. Teramoto, and K. Ohkawa, Effects of intentional oxygen and carbon doping in MOVPE-grown GaN layers on photoelectric Properties, Phys. Stat. Sol. B 252 (2015) 1116. ( SCI )

主持课题：

（1）银纳米颗粒分散液材料的研究与制备，项目编号：HXXZ250004，主持，2025；

（2） 云道闸系统，项目编号： HXJZ230087，主持，2023；

（3）三族氮化物基LEDs的量子阱结构优化，天津市科委（天津市应用基础与前沿技术研究计划） 面上项目, 项目编号：15JCYBJC52200,主持，2015；

（4）稀磁半导体材料的自旋相关输运性能的研究，天津市教委高校发展基金项目，项目编号：20110711，主持，2012；

 发明专利：

（1）王雅欣，一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法. 中国，发明专利，ZL201911310362.X，2021-8-13.